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SGT MOSFET器件方案
a.最优化的原胞结构,采用最低的外延电阻率以获得极低的Rsp;
b.采用自对准工艺设计技术及上下结构原胞,获得高达645M/inch2高密度单胞,从而获得极低的Rsp;
c.采用先进DFN封装获得更好的散热性能及导通电阻
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