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产品工艺逐步引进SGT

发表时间 :2022-08-08 来源 :九游会ag真人官网

SGT MOSFET器件方案

a.最优化的原胞结构,采用最低的外延电阻率以获得极低的Rsp;

b.采用自对准工艺设计技术及上下结构原胞,获得高达645M/inch2高密度单胞,从而获得极低的Rsp;

c.采用先进DFN封装获得更好的散热性能及导通电阻

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